一、应用场合：
目前，很多计算机应用系统（特别是单片机应用系统）要求系统失电后能保存各种现场数据及重要的系统参数。常规的SRAM、EPROM无法满足需要。近年来流行的各种EEPROM及FLASH MEMORY由于以下几个原因也无法满足大多数应用系统的需要：①写入速度慢：EEPROM及FLASH MEMORY有两种写入方式——单字节写入及页写入。单字节方式写入一字节需要10ms左右，页写入虽然较快，但要随机写一个字节需要对该字节所在页面全部重写，写完后需要查询等待直到页写入完成才可进行下一次写操作。这对于需要保存系统的中间运算结果及大量随机写入数据的场合无疑是不行的。②写入次数有限：一般为十万次左右。③上、下掉电期间数据误写，虽然大容量的FLASH MEMORY有软、硬件写保护，但使用起来很不方便。针对上述问题，各厂家相继推出了由SRAM、电池及控制电路集成的NVSRAM，可以完全替代相应的SRAM。其引脚、功能与对应的SRAM完全兼容，可以ns级的速度高速随机读写；无限次写入；断电后自动保存片内数据；保存数据的时间长达十年左右。由于NVSRAM的优越性能，其应用范围十分广阔，可以完成替代SRAM、EPROM、EEPROM、FLASH、MEMORY，特别适用于各种断电后需要可靠保存大量数据的应用场合。
二、性能简介：
由于市面上NVSRAM的型号较多，性能参差不齐，只有通过对同类产品的性能作仔细比较，才能确定合适的产品。产品性能主要由以下几个性能指标决定：①速度：ZS系列产品普通型为70ns，并可根据用户要求定做55ns、60ns的产品；其它厂家产品的速度一般为100ns，200ns；需要用于高速应用场合的用户一定要选用与CPU速度匹配的产品，否则会影响系统的总体性能。②保护电压：所有的NVSRAM均设定有保护电压值，低于此电压则自动封锁片选信号，此时不能访问NVSRAM。在可靠保护数据的前提下，保护电压越低越好。ZS系列有两类产品：5V类保护电压为4.3V/4.0V两档，3.3类保护电压为2.8V/2.6V两档，并可根据用户要求定做。其它产品保护电压一般较高，特别是国外产品，保护电压为4.65V左右,并且无低电压类产品,保护电压不能按用户要求定做。③上电保护延时：为了防止上电期间系统处于不确定状态而误写NVSRAM，NVSRAM必须设有一定时间的上电保护延时，即当Vcc高于保护电压时并不立即放开NVSRAM，延时一定时间才可访问NVSRAM。ZS系列产品的上电保护延时一般为10ms左右，DALLAS的DS系列为20ms左右。很多产品无此上电保护延时，极易造成上电期间的误写。④使用的温度范围：ZS系列产品的设计使用温度范围较宽。实际测试证明，在—40℃~—70℃时各项性能指标均无变化。而一些同类产品的性能参数，特别是保护电压随温度变化大，造成用户在某些温度下无法使用。⑤数据保护可靠性：虽然各厂家都声称自己的产品万无一失保数据，但事实并非如此。ZS系列产品在数据保护的可靠性方面有独到之处，其可靠性居同类之最。用户在购买ZS系列产品时，可以对其可靠性进行测试，还可与其它同类产品进行比较，您会发现：ZS系列产品的可靠性是建立在真实可信的基础之上的。
三、注意事项：
用户在使用ZS系列产品时，要注意以下几个问题：①正常工作时，一定要保证NVSRAM的Vcc引脚电压高于产品的保护电压，否则NVSRAM无法工作。用户在选用NVSRAM前最好对自己的电路的工作电压测试一下，做到心中有数。②ZS系列的产品有上电延时，一般为10ms，用户的应用程序最好在系统启动时判断NVSRAM是否可以工作，或加一段20ms左右的延时子程序；③对于CE2引脚的芯片（如ZS64，ZS8128，ZS8256），CE2一定要上拉到Vcc，这也是普通SRAM的使用要求。否则芯片无法工作；④要保证复位电路的可靠性：如果复位电路工作不可靠，造成上电后CPU无法复位而不能正常工作，有可能由于CPU状态的混乱而误写NVSRAM。此时的误写是任何NVSRAM所不能保护的。建议用户使用MAXIM，IMP，DALLAS等公司的复位芯片（如MAX708），这样有两个好处：一是复位可靠；二是复位脉冲宽度较宽（140ms以上），大于NVSRAM的保护延时时间，用户无需加延时子程序即可保证CPU工作时NVSRAM已可访问。⑤在可能的条件下，NVSRAM的Vcc与GND之间加10~22μF和0.01~0.1μF的高低频去耦电容。⑥3.3V类NVSRAM不能使用5V电源,否则会损坏芯片。